从功能来看:

字扩展是对存储芯片内部来说的。字扩展只能扩展容量，对单个存储器进行扩容，属于一个存储器的一部分，也就是说拥有同一个读写周期。其实是一个比存储器更小的概念，在使用高位交叉编址的时候是不用考虑存储器内部里面有几个芯片，是怎么连接的。

多模块存储器,说的是存储器，可独立运行，扩充容量的同时，在每个存储模块低位交叉编址的情况下，能提高吞吐率；高位交叉编址，只是单纯扩容。

从作用来看

字扩展是为了解决单片存储芯容量有限，将多个存储芯片连接组成一个存储器。

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答案是选A。
字位拓展是对于一个存储器而言的，也就是对应着多模块存储中的一个模块（所以多模块存储器又叫做多体并行存储器，这个体就是存储体的意思

4Kx4的存储芯片通过位扩展-->16K的存储芯片
单块存储芯片容量4K-->地址数=2^12-->也就需要12根低地址线作为地址线接入A15~A4
那么也就是需要16/4=4块存储芯片组合位扩展-->需要2根高位地址线作为片选线A3~A2
-->所以答案A